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工商時報【涂志豪】
由於全球記憶體廠自2015年以降，並無投入高額鉅資擴建新晶圓廠的動作，因此，雖然近年來在個人電腦、智慧型手機等終端應用銷售動能趨緩，不過，因內建的DRAM或NAND Flash搭載容量持續提升，也讓2016年下半年記憶體市場出現缺貨壓力，而2017年看來記憶體仍將缺很大，金雞年對記憶體廠來說將是個好年冬。
DRAM價格由2016年中開始起漲，至2016年底價格已創一年來新高，2017年價格續漲趨勢明確，對DRAM廠南亞科、華邦電來說，營收及獲利將具成長動能。至於包括創見、威剛、宇瞻、品安等模組廠來說，獲利成長動能強勁。
根據集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange統計，受惠於全球智慧型手機出貨成長，及DRAM搭載量不斷攀升，2016年第二季開始DRAM原廠逐步降低標準型DRAM的產出，轉為行動式與伺服器DRAM。在供應逐漸吃緊下，第三季開始標準型DRAM價格呈上漲走勢，同時帶動其他類別記憶體的價格上揚。
2016年第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Galaxy Note 7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7後來於第四季停產，但第三季的備貨仍有助DRAM消化量與價格的上揚，標準型DRAM也因出貨比預期更佳，加上筆電搭載高容量8GB記憶體比重亦持續增加，更讓第四季標準型DRAM合約價季漲幅逾30％，包括三星、SK海力士等韓系業者獲利明顯回升，第三大廠美光則轉虧為盈，台灣業者同樣受惠。
南亞科受惠於標準型DRAM價格持續上漲，加上客戶陸續追加訂單，2016年第三季營收較第二季成長16.7％，但隨著新工廠Fab 3A North完工，2017年上半年將導入20奈米製程，屆時成本有望進一步降低。
平均銷售單價可望大漲
華邦電2016年第三季營收小幅成長7％，除46奈米比重持續提升外，38奈米製程預估最快於第四季正式少量投片生產，此外，由於利基型記憶體第四季起漲價，亦將反映在第四季的營收表現上，2017年則因38奈米製程微縮加快，獲利將見強勁成長動能。
集邦最新研究顯示，展望2017年第一季，受惠於中國農曆新年的備貨需求，及買方普遍認同供貨吃緊仍將持續，標準型4GB DRAM模組均價將往20美元邁進，預估季漲幅約15％，其餘如伺服器、行動式、利基型DRAM等產品價格預估也將同步攀升，呈現淡季不淡的格局。在供給端沒有進一步增加產能的情況下，供貨吃緊的態勢仍將延續，2017年DRAM的平均銷售單價較今年將有可觀的成長。
在NAND Flash市場部分，DRAMeXchange最新調查顯示，受惠於智慧型手機需求強勁，及供給端2D NAND轉進3D NAND所導致的整體產出減少，2016年第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6％，營業利益率也較上季大幅進步。
2016年第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高，廠商的營收與營業利益率也可望再創今年新高。
法人指出，包括華邦電、旺宏等低容量NAND Flash才剛量產，對市場影響不大，但漲價效應下仍有機會受惠。至於國內主要NAND控制IC廠群聯受惠漲價，2016年營收及獲利均創新高，2017年有機會挑戰賺進3個股本。全力衝刺SSD出貨的群聯、威剛、創見等受惠最大。
集邦指出，2016年第四季主流容量用戶級OEM SSD合約均價近一年來首度大漲，採用MLC規格NAND Flash的SSD價格季漲幅達6～10％，採用TLC規格NAND Flash的SSD部分則上漲6～9％。普遍來看，256GB SSD合約價約來到63～66美元左右。
展望2017年第一季，雖然終端產品實際銷臺北市大同區情趣睡衣售狀況仍保守，但由於非三星陣營的原廠仍處於3D NAND轉換陣痛期，及龍頭廠商持續以提升獲利為主要策略下，預估明年第一季用戶級OEM SSD主流容量合約價仍將持續走升。法人預估均價將達65～70美元。
從用戶級SSD產品介面發展來看，由於大多數OEM大廠從2016下半年起才積極轉進PCIe介面，且通路市場需求仍以SATA III為主，因此SATA III仍是用戶級SSD市場的主流介面規格，PCIe SSD市占率僅2成。然而，隨著PCIe SSD供應商增加，及SSD控制晶片廠推出更具性價比的解決方案後，DRAMeXchange預估2017年PCIe SSD的市場滲透率將有望挑戰30～40％。
3D NAND布局加快
2017年是3D NAND大成長的一年，所以全部的NAND供應商均加快布局。以龍頭大廠三星電子為例，在高容量的eMMC/UFS與eMCP市占率領先同業，企業級固態硬碟（SSD）產品更藉出色性價比出貨強勁，3D NAND良率穩定拉升。2017年NAND Flash仍然缺貨，三星營運表現可望更為出色。
SK海力士3D NAND產能在2016年底前將達每月2～3萬片，第三代3D NAND於2017年第一季放量出貨，第四代的3D NAND有機會在2017年下半開始少量生產。
日本東芝產能規畫部分，現有第二半導體廠已全力生產3D NAND，2016年第四季產能達每月4萬片，待2017年64層堆疊的3D NAND順利量產後，產能提升速度將更快，而其第六半導體廠房新建計畫，將從2017年二月開始動工。
威騰電子（WD）收購SanDisk後，64層堆疊的3D NAND正處OEM客戶測試階段，預計2016年12月起率先使用在卡片及隨身碟等產品上。
現階段15奈米 2D NAND仍為威騰電子主流製程，良率及成本效益都已達最佳化，因此對利潤提升有很大幫助，2017年威騰電子的NAND Flash位元產出成長率預期將達45％。
（中央社首爾12日綜合外電報導）韓聯社報導，被視為南韓下屆大選執政陣營潛在候選人的潘基文今天下午飛抵仁川機場。
這是他2007年就任聯合國秘書長以來首次以平民身分回國，但高調提出實現國民大團結和政治改革的目標，事實上表明問鼎總統的意願。
目前，潘基文在下屆總統選舉民調中與共同民主黨前黨首文在寅形成兩強爭霸局面。據悉，潘基文將在今後一段時間裏置身於中間地帶與朝野保持適當距離，但輿論普遍認為，潘基文將引爆各黨派合縱連橫的變局，並將在春節前正式宣佈參選總統，積極投身政界。
潘基文在機場召開記者會表示，願憑藉聯合國秘書長任內積累的經驗和見地成為韓國年輕人美好未來的引路人，燃燒自我以身許國之念未變，參選意圖不言而喻。
潘基文指出，韓國面臨巨大難關，須終結貧富兩極化、意識形態、地域及代際矛盾，定要實現國民大團結。潘基文認為，韓國各界領袖都應心懷責任感，要有先為他人著想的犧牲精神。
潘基文就韓國民眾舉行的反總統朴槿惠燭光示威表示，歷史將銘記2016年，銘記為建設美好國家民眾團結一致創下的廣場奇蹟。
潘基文認為，黨爭分裂國家社會是民族的災難，已經沒有時間可供浪費，韓國需要政治改革，而非政權交替，但遺憾的是政界仍然只顧一己之私，罔顧廣場民意。
潘基文還就受賄23萬美元傳聞反駁稱，實在無法理解所謂朴淵次給他財物的說法，也不知道為何他的名字出現在傳聞中。潘基文強調，自己在過去的50多年裏在韓國和聯合國為國家民族和世界人類恪盡公職，無愧於心。1060112
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